Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
IXTA6N50P
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXTA6N50P-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 500 V 6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12819298
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXTA6N50P Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
-
Seeria
PolarHV™
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
500 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 50µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
14.6 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
740 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
100W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-263AA
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
IXTA6
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
IXTA6N50P
HTML andmeleht
IXTA6N50P-DG
Andmelehed
IXT(A,P)6N50P
Building, Home Automation Appl Guide
Lisainfo
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IXTA8N65X2
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
90
DiGi OSANUMBER
IXTA8N65X2-DG
ÜHIKPRICE
1.41
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IRF730STRLPBF
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
IRF730STRLPBF-DG
ÜHIKPRICE
0.93
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STD6N52K3
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
2751
DiGi OSANUMBER
STD6N52K3-DG
ÜHIKPRICE
0.45
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IXFH20N85X
MOSFET N-CH 850V 20A TO247
IXTT2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO268
IXFH23N60Q
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
IXFN320N17T2
MOSFET N-CH 170V 260A SOT227B