Tootja Toote Number:
IXFH20N85X
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXFH20N85X-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 850V 20A TO247
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 850 V 20A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventuur:
271 tk Uus Originaal Laos
12819301
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXFH20N85X Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
Tube
Seeria
HiPerFET™, Ultra X
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
850 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
330mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1660 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
540W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-247 (IXTH)
Pakett / ümbris
TO-247-3
Põhitoote number
IXFH20
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IXTT2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO268
IXFH23N60Q
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
IXFN320N17T2
MOSFET N-CH 170V 260A SOT227B
