IXTA64N10L2

Tootja Toote Number:

IXTA64N10L2

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXTA64N10L2-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 100V 64A TO263AA

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 100 V 64A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventuur:

73 tk Uus Originaal Laos

12821167

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

IXTA64N10L2 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Littelfuse

Pakendamine

Tube

Seeria

Linear L2™

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

100 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

64A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

32mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

100 nC @ 10 V

VGS (max)

±30V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

3620 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

357W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

TO-263 (D2PAK)

Pakett / ümbris

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Põhitoote number

IXTA64

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

IXT(H,A,P)64N10L2

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

-IXTA64N10L2

Standardpakett

50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

littelfuse

IXTH30N60L2

MOSFET N-CH 600V 30A TO247

littelfuse

IXFT60N50P3

MOSFET N-CH 500V 60A TO268

littelfuse

IXTP12N50P

MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB

littelfuse

IXFT12N100

MOSFET N-CH 1000V 12A TO268