IXTP12N50P

Tootja Toote Number:

IXTP12N50P

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXTP12N50P-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 500 V 12A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventuur:

73 tk Uus Originaal Laos

12821174

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

IXTP12N50P Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Littelfuse

Pakendamine

Tube

Seeria

Polar

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

500 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

12A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

500mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

29 nC @ 10 V

VGS (max)

±30V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

1830 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

200W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-220-3

Pakett / ümbris

TO-220-3

Põhitoote number

IXTP12

Tehnilised andmed ja dokumendid

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Andmelehed

IXT(A,I,P) 12N50P Building, Home Automation Appl Guide

Lisainfo

Standardpakett

50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

littelfuse

IXFT12N100

MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

littelfuse

IXTT26N50P

MOSFET N-CH 500V 26A TO268

littelfuse

IXFH12N120

MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD

littelfuse

IXFX25N90

MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247-3