Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
IXFY4N60P3
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXFY4N60P3-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12914248
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXFY4N60P3 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
-
Seeria
HiPerFET™, Polar3™
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
2.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
6.9 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
365 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
114W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-252AA
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Põhitoote number
IXFY4
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
IXFx4N60P3
Tehnilised lehed
IXFY4N60P3
HTML andmeleht
IXFY4N60P3-DG
Lisainfo
Muud nimed
-IXFY4N60P3
Standardpakett
70
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IPD80R2K0P7ATMA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
67
DiGi OSANUMBER
IPD80R2K0P7ATMA1-DG
ÜHIKPRICE
0.32
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
FQD5N60CTM
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
FQD5N60CTM-DG
ÜHIKPRICE
0.42
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
TSM4NB60CP ROG
TOOTJA
Taiwan Semiconductor Corporation
KOGUS SAADAVAL
9
DiGi OSANUMBER
TSM4NB60CP ROG-DG
ÜHIKPRICE
0.34
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IXTY4N65X2
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
70
DiGi OSANUMBER
IXTY4N65X2-DG
ÜHIKPRICE
1.07
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IXTY8N70X2
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
49
DiGi OSANUMBER
IXTY8N70X2-DG
ÜHIKPRICE
1.41
ASENDAMISE TüÜP
Direct
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
BUK9E04-40A,127
MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
IRFR020TR
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
SI4638DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 22.4A 8SO
IRFR224
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK