IXTY4N65X2
Tootja Toote Number:

IXTY4N65X2

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXTY4N65X2-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 650V 4A TO252
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventuur:

70 tk Uus Originaal Laos
12819386
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

IXTY4N65X2 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
Tube
Seeria
Ultra X2
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
650 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
850mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
455 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
80W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-252AA
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Põhitoote number
IXTY4

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
650V Ultra Junction X2-Class POWER MOSFETs Building, Home Automation Appl Guide

Lisainfo

Muud nimed
-IXTY4N65X2
Standardpakett
70

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
littelfuse

IXTP24P085T

MOSFET P-CH 85V 24A TO220AB

littelfuse

IXFK180N15P

MOSFET N-CH 150V 180A TO264AA

littelfuse

IXTK88N30P

MOSFET N-CH 300V 88A TO264

littelfuse

IXFH50N30Q3

MOSFET N-CH 300V 50A TO247AD