IXFX64N50P

Tootja Toote Number:

IXFX64N50P

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXFX64N50P-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 500 V 64A (Tc) 830W (Tc) Through Hole PLUS247™-3

Inventuur:

11 tk Uus Originaal Laos

12821716

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

IXFX64N50P Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Littelfuse

Pakendamine

Tube

Seeria

HiPerFET™, Polar

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

500 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

64A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

85mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 8mA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

150 nC @ 10 V

VGS (max)

±30V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

8700 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

830W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

PLUS247™-3

Pakett / ümbris

TO-247-3 Variant

Põhitoote number

IXFX64

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

-IXFX64N50P

Standardpakett

30

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

littelfuse

IXTH30N25

MOSFET N-CH 250V 30A TO247

IXTV02N250S

MOSFET N-CH 2500V 200MA PLUS220

littelfuse

IXFH20N80P

MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD

littelfuse

IXFN100N10S2

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B