Tootja Toote Number:
IXFH20N80P
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXFH20N80P-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 800 V 20A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventuur:
12821719
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXFH20N80P Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
Tube
Seeria
HiPerFET™, Polar
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
800 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
520mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
4685 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
500W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-247AD (IXFH)
Pakett / ümbris
TO-247-3
Põhitoote number
IXFH20
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IRFPC50APBF
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
4648
DiGi OSANUMBER
IRFPC50APBF-DG
ÜHIKPRICE
1.74
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
SPW11N80C3FKSA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
2520
DiGi OSANUMBER
SPW11N80C3FKSA1-DG
ÜHIKPRICE
1.49
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STW11NM80
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
98
DiGi OSANUMBER
STW11NM80-DG
ÜHIKPRICE
2.59
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IXFN100N10S2
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
IXFN200N10P
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
IXFC20N80P
MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220
