Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
IXFK150N15
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXFK150N15-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 150V 150A TO264AA
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 150 V 150A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12819488
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXFK150N15 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
-
Seeria
HiPerFET™
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
150 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
150A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
12.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
360 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
9100 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
560W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-264AA (IXFK)
Pakett / ümbris
TO-264-3, TO-264AA
Põhitoote number
IXFK150
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
IXF(K,X)150N15
Tehnilised lehed
IXFK150N15
HTML andmeleht
IXFK150N15-DG
Lisainfo
Standardpakett
25
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IXFK180N15P
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
25
DiGi OSANUMBER
IXFK180N15P-DG
ÜHIKPRICE
11.89
ASENDAMISE TüÜP
Direct
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IXFT150N20T
MOSFET N-CH 200V 150A TO268
IXFX64N60P
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
IXTQ74N15T
MOSFET N-CH 150V 74A TO3P
IXFT24N80P
MOSFET N-CH 800V 24A TO268