IXFT24N80P

Tootja Toote Number:

IXFT24N80P

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXFT24N80P-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 800V 24A TO268

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 800 V 24A (Tc) 650W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12819495

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

IXFT24N80P Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Littelfuse

Pakendamine

Tube

Seeria

HiPerFET™, Polar

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

800 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

24A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

400mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

105 nC @ 10 V

VGS (max)

±30V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

7200 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

650W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

TO-268AA

Pakett / ümbris

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Põhitoote number

IXFT24

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

IXF(H,K,T)24N80P

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett

30

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

littelfuse

IXTK80N25

MOSFET N-CH 250V 80A TO264

littelfuse

IXTA130N15X4

MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA

littelfuse

IXFH24N50

MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD

littelfuse

IXTP08N100P

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB