IXFC52N30P
Tootja Toote Number:

IXFC52N30P

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXFC52N30P-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 300V 24A ISOPLUS220
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 300 V 24A (Tc) 100W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™

Inventuur:

Küsi hinda veebis
12820135
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

IXFC52N30P Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
-
Seeria
PolarHT™ HiPerFET™
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
300 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
24A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
75mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
3490 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
100W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
ISOPLUS220™
Pakett / ümbris
ISOPLUS220™
Põhitoote number
IXFC52N30

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
IXFC52N30P
Tehnilised lehed
IXFC52N30P
HTML andmeleht
IXFC52N30P-DG

Lisainfo

Standardpakett
50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatiivsed mudelid

Osa number
IXTP36N30P
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
793
DiGi OSANUMBER
IXTP36N30P-DG
ÜHIKPRICE
2.19
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
littelfuse

IXTH80N075L2

MOSFET N-CH 75V 80A TO247

littelfuse

IXTH60N20L2

MOSFET N-CH 200V 60A TO247

littelfuse

IXTA76N25T

MOSFET N-CH 250V 76A TO263

littelfuse

IXFH18N60P

MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD