Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
IXFH18N60P
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXFH18N60P-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12820146
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXFH18N60P Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
Tube
Seeria
HiPerFET™, Polar
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
400mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2500 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
360W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-247AD (IXFH)
Pakett / ümbris
TO-247-3
Põhitoote number
IXFH18
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
IXFH18N60P, IXFV18N60P/PS
Tehnilised lehed
IXFH18N60P
HTML andmeleht
IXFH18N60P-DG
Lisainfo
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
AOK20N60L
TOOTJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
KOGUS SAADAVAL
174
DiGi OSANUMBER
AOK20N60L-DG
ÜHIKPRICE
2.65
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STW18N60DM2
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
134
DiGi OSANUMBER
STW18N60DM2-DG
ÜHIKPRICE
1.41
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IRFPC60PBF
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
314
DiGi OSANUMBER
IRFPC60PBF-DG
ÜHIKPRICE
3.39
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STW11NM80
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
98
DiGi OSANUMBER
STW11NM80-DG
ÜHIKPRICE
2.59
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IXTH96N20P
MOSFET N-CH 200V 96A TO247
IXTY50N085T
MOSFET N-CH 85V 50A TO252
IXTK200N10L2
MOSFET N-CH 100V 200A TO264
IXFH40N30
MOSFET N-CH 300V 40A TO247AD