Tootja Toote Number:
IRFU1205
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
IRFU1205-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 55V 44A IPAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 55 V 44A (Tc) 107W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventuur:
12803027
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
83FE
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IRFU1205 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
-
Seeria
HEXFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
55 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
44A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
27mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
107W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
IPAK (TO-251AA)
Pakett / ümbris
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Muud nimed
*IRFU1205
Standardpakett
75
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
RoHS non-compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IRF7424GTRPBF
MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
IPA65R095C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
IRF3205STRRPBF
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
