Tootja Toote Number:
IPA65R095C7XKSA1
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
IPA65R095C7XKSA1-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventuur:
384 tk Uus Originaal Laos
12803029
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IPA65R095C7XKSA1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
Tube
Seeria
CoolMOS™ C7
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
650 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
95mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 590µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2140 pF @ 400 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
34W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
PG-TO220-FP
Pakett / ümbris
TO-220-3 Full Pack
Põhitoote number
IPA65R095
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
2156-IPA65R095C7XKSA1
SP001080126
INFINFIPA65R095C7XKSA1
Standardpakett
500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
TK35A65W,S5X
TOOTJA
Toshiba Semiconductor and Storage
KOGUS SAADAVAL
13
DiGi OSANUMBER
TK35A65W,S5X-DG
ÜHIKPRICE
3.02
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IRF3205STRRPBF
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
IPW60R160P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
IRF7353D1PBF
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
