Tootja Toote Number:
IPI80P03P405AKSA1
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
IPI80P03P405AKSA1-DG
Kirjeldus:
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 137W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventuur:
12802978
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
z3mD
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IPI80P03P405AKSA1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
-
Seeria
OptiMOS™
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 253µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
10300 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
137W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klassi
Automotive
Kvalifikatsiooni
AEC-Q101
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
PG-TO262-3-1
Pakett / ümbris
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Põhitoote number
IPI80P
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Muud nimed
SP000396316
Standardpakett
500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
SPP80P06PHXKSA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
5150
DiGi OSANUMBER
SPP80P06PHXKSA1-DG
ÜHIKPRICE
1.67
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IRF6729MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
IPD70N04S3-07
MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3
IPP60R090CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
