Tootja Toote Number:
IRF6729MTRPBF
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
IRF6729MTRPBF-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 31A (Ta), 190A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventuur:
12802979
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
HfNJ
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IRF6729MTRPBF Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
-
Seeria
HEXFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
31A (Ta), 190A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
1.8mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
63 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
6030 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Töötemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
DIRECTFET™ MX
Pakett / ümbris
DirectFET™ Isometric MX
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Muud nimed
IRF6729MTRPBF-DG
IRF6729MTRPBFTR
IRF6729MTRPBFCT
SP001524718
IRF6729MTRPBFDKR
Standardpakett
4,800
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IRF6727MTRPBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
3845
DiGi OSANUMBER
IRF6727MTRPBF-DG
ÜHIKPRICE
1.03
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IPD70N04S3-07
MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3
IPP60R090CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
IRF2804STRL
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
