Tootja Toote Number:
BSC350N20NSFDATMA1
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
BSC350N20NSFDATMA1-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 200 V 35A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventuur:
3864 tk Uus Originaal Laos
12799043
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
BSC350N20NSFDATMA1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
OptiMOS™
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
200 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
35mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2410 pF @ 100 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
150W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
PG-TDSON-8-1
Pakett / ümbris
8-PowerTDFN
Põhitoote number
BSC350
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
BSC350N20NSFDATMA1CT
BSC350N20NSFDATMA1DKR
BSC350N20NSFDATMA1-DG
BSC350N20NSFDATMA1TR
SP001108124
Standardpakett
5,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
BSC22DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
BTS282ZE3230AKSA2
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
BSL211SPL6327HTSA1
MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
