Tootja Toote Number:
BSC22DN20NS3GATMA1
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
BSC22DN20NS3GATMA1-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 200 V 7A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventuur:
5719 tk Uus Originaal Laos
12799050
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
BSC22DN20NS3GATMA1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
OptiMOS™
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
200 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
225mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 13µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
430 pF @ 100 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
34W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
PG-TDSON-8-5
Pakett / ümbris
8-PowerTDFN
Põhitoote number
BSC22DN20
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
BSC22DN20NS3G
BSC22DN20NS3 GDKR-DG
SP000781778
BSC22DN20NS3 GDKR
BSC22DN20NS3GATMA1CT
BSC22DN20NS3 GCT-DG
BSC22DN20NS3GATMA1DKR
BSC22DN20NS3GATMA1TR
BSC22DN20NS3 G-DG
BSC22DN20NS3 GTR-DG
BSC22DN20NS3 GCT
BSC22DN20NS3 G
Standardpakett
5,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
BTS282ZE3230AKSA2
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
BSL211SPL6327HTSA1
MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
IPA100N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 40A TO220-FP
