Tootja Toote Number:
DMN95H8D5HCT
Product Overview
Tootja:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Osanumber:
DMN95H8D5HCT-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 950 V 2.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
Inventuur:
12949375
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
DMN95H8D5HCT Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Diodes Incorporated
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
950 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
470 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
125W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220AB (Type TH)
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
DMN95
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
DMN95H8D5HCT-DG
DMN95H8D5HCTDI
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IXTP2N100
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
IXTP2N100-DG
ÜHIKPRICE
3.24
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
Osa number
IXTP2R4N120P
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
14
DiGi OSANUMBER
IXTP2R4N120P-DG
ÜHIKPRICE
3.25
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
Osa number
IXTP2N100P
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
136
DiGi OSANUMBER
IXTP2N100P-DG
ÜHIKPRICE
1.49
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
DMN6040SFDE-7
MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
DMNH4006SK3Q-13
MOSFET N-CH 40V 20A/140A TO252
DMN2041L-7
MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23-3
