IXTP2N100P
Tootja Toote Number:

IXTP2N100P

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXTP2N100P-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 1000 V 2A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventuur:

136 tk Uus Originaal Laos
12820967
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

IXTP2N100P Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
Tube
Seeria
Polar
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
1000 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
24.3 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
655 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
86W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
IXTP2

Tehnilised andmed ja dokumendid

Tehnilised lehed
IXTP2N100P
HTML andmeleht
IXTP2N100P-DG
Andmelehed
IXT(A,P,Y)2N100P Building, Home Automation Appl Guide

Lisainfo

Muud nimed
-IXTP2N100P
Standardpakett
50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
littelfuse

IXKC23N60C5

MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220

littelfuse

IXTA08N50D2

MOSFET N-CH 500V 800MA TO263

littelfuse

IXKN75N60C

MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B

littelfuse

IXTA220N04T2

MOSFET N-CH 40V 220A TO-263