Tootja Toote Number:
DMN3025LFDF-13
Product Overview
Tootja:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Osanumber:
DMN3025LFDF-13-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 9.9A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventuur:
12884200
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
DMN3025LFDF-13 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Diodes Incorporated
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
9.9A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
20.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
13.2 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
641 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.1W (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
U-DFN2020-6 (Type F)
Pakett / ümbris
6-UDFN Exposed Pad
Põhitoote number
DMN3025
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Standardpakett
10,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
DMN3025LFDF-7
TOOTJA
Diodes Incorporated
KOGUS SAADAVAL
2882
DiGi OSANUMBER
DMN3025LFDF-7-DG
ÜHIKPRICE
0.10
ASENDAMISE TüÜP
Parametric Equivalent
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
DMG3414U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
DMT4008LSS-13
MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SO
DMN67D8LV-7
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
