DMG3414U-7

Tootja Toote Number:

DMG3414U-7

Product Overview

Tootja:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Osanumber:

DMG3414U-7-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventuur:

217365 tk Uus Originaal Laos

12884202

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

DMG3414U-7 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Diodes Incorporated

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

-

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

20 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

4.2A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

1.8V, 4.5V

Rds sees (max) @ id, vgs

25mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

9.6 nC @ 4.5 V

VGS (max)

±8V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

829.9 pF @ 10 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

780mW (Ta)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

SOT-23-3

Pakett / ümbris

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Põhitoote number

DMG3414

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

DMG3414U-7DIDKR

DMG3414U-7DICT

DMG3414U7

DMG3414U-7DITR

Standardpakett

3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

diodes

DMT4008LSS-13

MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SO

DMN67D8LV-7

MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R

diodes

2N7002W-7

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323

nexperia

BUK7S1R0-40HJ

MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88