DMN2310UT-13
Tootja Toote Number:

DMN2310UT-13

Product Overview

Tootja:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Osanumber:

DMN2310UT-13-DG

Kirjeldus:

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 20 V 1.2A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SOT-523

Inventuur:

Küsi hinda veebis
13000516
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

DMN2310UT-13 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Diodes Incorporated
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
20 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
1.2A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
1.8V, 4.5V
Rds sees (max) @ id, vgs
240mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±8V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
38 pF @ 10 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
290mW (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
SOT-523
Pakett / ümbris
SOT-523
Põhitoote number
DMN2310

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
DMN2310UT

Lisainfo

Muud nimed
31-DMN2310UT-13TR
Standardpakett
10,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternatiivsed mudelid

Osa number
DMN2310UTQ-7
TOOTJA
Diodes Incorporated
KOGUS SAADAVAL
2963
DiGi OSANUMBER
DMN2310UTQ-7-DG
ÜHIKPRICE
0.04
ASENDAMISE TüÜP
Parametric Equivalent
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
diodes

DMTH8008SFG-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

infineon-technologies

IPDQ60R025CFD7XTMA1

HIGH POWER_NEW

infineon-technologies

IPDQ60R015CFD7XTMA1

HIGH POWER_NEW

diodes

DMP26M1UFG-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333