Tootja Toote Number:
DMTH8008SFG-7
Product Overview
Tootja:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Osanumber:
DMTH8008SFG-7-DG
Kirjeldus:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 80 V 17A (Ta), 68A (Tc) 1.2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventuur:
13000524
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
DMTH8008SFG-7 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Diodes Incorporated
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
80 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
17A (Ta), 68A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
6V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
7mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
31.7 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1945 pF @ 40 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
1.2W (Ta), 50W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
PowerDI3333-8
Pakett / ümbris
8-PowerVDFN
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
31-DMTH8008SFG-7TR
Standardpakett
2,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
DMTH8008SFGQ-13
TOOTJA
Diodes Incorporated
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
DMTH8008SFGQ-13-DG
ÜHIKPRICE
0.46
ASENDAMISE TüÜP
Parametric Equivalent
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IPDQ60R025CFD7XTMA1
HIGH POWER_NEW
IPDQ60R015CFD7XTMA1
HIGH POWER_NEW
DMP26M1UFG-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
