Tootja Toote Number:
DMJ70H900HJ3
Product Overview
Tootja:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Osanumber:
DMJ70H900HJ3-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 700V 7A TO251
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 700 V 7A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-251
Inventuur:
12888530
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
DMJ70H900HJ3 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Diodes Incorporated
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
700 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
900mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
18.4 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
603 pF @ 50 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
68W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klassi
Automotive
Kvalifikatsiooni
AEC-Q101
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-251
Pakett / ümbris
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Põhitoote number
DMJ70
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Standardpakett
75
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
STU7N60M2
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
3000
DiGi OSANUMBER
STU7N60M2-DG
ÜHIKPRICE
0.49
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
Osa number
IPSA70R900P7SAKMA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
4
DiGi OSANUMBER
IPSA70R900P7SAKMA1-DG
ÜHIKPRICE
0.63
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
DMP3015LSSQ-13
MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
DMN10H220LQ-13
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
DMP2070UCB6-7
MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
