Tootja Toote Number:
IPSA70R900P7SAKMA1
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
IPSA70R900P7SAKMA1-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventuur:
4 tk Uus Originaal Laos
12805467
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
u2ky
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IPSA70R900P7SAKMA1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
Tube
Seeria
CoolMOS™ P7
Toote olek
Last Time Buy
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
700 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
900mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 60µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
6.8 nC @ 400 V
VGS (max)
±16V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
211 pF @ 400 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
30.5W (Tc)
Töötemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
PG-TO251-3
Pakett / ümbris
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Põhitoote number
IPSA70
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
IPSA70R900P7S
SP001664790
2156-IPSA70R900P7SAKMA1
INFINFIPSA70R900P7SAKMA1
Standardpakett
75
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IRFSL3806PBF
MOSFET N-CH 60V 43A TO262
IPW60R075CPAFKSA1
AUTOMOTIVE
IRF7807D1PBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO