Tootja Toote Number:
SIHP8N50D-E3
Product Overview
Tootja:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Osanumber:
SIHP8N50D-E3-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 500 V 8.7A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventuur:
1000 tk Uus Originaal Laos
13007237
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
SIHP8N50D-E3 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Vishay
Pakendamine
Tube
Seeria
-
Pakend
Tube
Osa olek
Last Time Buy
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
500 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
8.7A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
850mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
527 pF @ 100 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
156W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220AB
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
SIHP8
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Alternatiivsed mudelid
Osa number
AOT9N50
TOOTJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
AOT9N50-DG
ÜHIKPRICE
0.46
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
Osa number
STP9NK50Z
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
477
DiGi OSANUMBER
STP9NK50Z-DG
ÜHIKPRICE
1.05
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
Osa number
STP8NM50N
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
996
DiGi OSANUMBER
STP8NM50N-DG
ÜHIKPRICE
0.88
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
Osa number
IRF840PBF
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
2939
DiGi OSANUMBER
IRF840PBF-DG
ÜHIKPRICE
0.72
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
SIHF10N40D-E3
MOSFET N-CH 400V 10A TO220
SUD50N04-05L-E3
MOSFET N-CH 40V 115A TO252
SIS407DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
