Tootja Toote Number:
SIHP20N50E-GE3
Product Overview
Tootja:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Osanumber:
SIHP20N50E-GE3-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 500 V 19A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventuur:
861 tk Uus Originaal Laos
13063201
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
SIHP20N50E-GE3 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Vishay
Pakendamine
Tube
Seeria
-
Pakend
Tube
Osa olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
500 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
19A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
184mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1640 pF @ 100 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
179W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220AB
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
SIHP20
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Standardpakett
1,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
SPP21N50C3XKSA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
2469
DiGi OSANUMBER
SPP21N50C3XKSA1-DG
ÜHIKPRICE
1.91
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
SIHH120N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8
SIJ420DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
SIHB17N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
