Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Kongo DV
Argentina
Türgi
Rumeenia
Leedu
Norra
Austria
Angola
Slovakkia
LTALY
Soome
Valgevene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Montenegro
Vene
Belgia
Rootsi
Serbia
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Moldova
Saksamaa
Holland
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Prantsusmaa
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Portugal
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Hispaania
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
SI1488DH-T1-E3
Product Overview
Tootja:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Osanumber:
SI1488DH-T1-E3-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 20 V 6.1A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Inventuur:
Küsi hinda veebis
13061255
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
SI1488DH-T1-E3 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Vishay
Pakendamine
-
Seeria
TrenchFET®
Pakend
Tape & Reel (TR)
Osa olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
20 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
6.1A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
1.8V, 4.5V
Rds sees (max) @ id, vgs
49mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
10 nC @ 5 V
VGS (max)
±8V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
530 pF @ 10 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
SC-70-6
Pakett / ümbris
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Põhitoote number
SI1488
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
SI1488DH
Tehnilised lehed
SI1488DH-T1-E3
HTML andmeleht
SI1488DH-T1-E3-DG
Lisainfo
Muud nimed
SI1488DHT1E3
SI1488DH-T1-E3DKR
SI1488DH-T1-E3TR
SI1488DH-T1-E3CT
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
DMN2075UDW-7
TOOTJA
Diodes Incorporated
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
DMN2075UDW-7-DG
ÜHIKPRICE
0.09
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
SIRA66DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
SI4190DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
SIS438DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
SI1480DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6