Tootja Toote Number:
IRFPE40PBF
Product Overview
Tootja:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Osanumber:
IRFPE40PBF-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 800 V 5.4A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventuur:
168 tk Uus Originaal Laos
13053035
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IRFPE40PBF Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Vishay
Pakendamine
Tube
Seeria
-
Pakend
Tube
Osa olek
Last Time Buy
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
800 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
5.4A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
2Ohm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1900 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
150W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-247AC
Pakett / ümbris
TO-247-3
Põhitoote number
IRFPE40
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
*IRFPE40PBF
Standardpakett
25
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IRFPE50PBF
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
353
DiGi OSANUMBER
IRFPE50PBF-DG
ÜHIKPRICE
2.07
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
Osa number
STW8NK80Z
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
241
DiGi OSANUMBER
STW8NK80Z-DG
ÜHIKPRICE
1.63
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IRFR310TRR
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
IRFSL31N20DTRL
MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK
IRFD224
MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
