Tootja Toote Number:
IRF840SPBF
Product Overview
Tootja:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Osanumber:
IRF840SPBF-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventuur:
1254 tk Uus Originaal Laos
13050899
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IRF840SPBF Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Vishay
Pakendamine
Tube
Seeria
-
Pakend
Tube
Osa olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
500 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
850mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-263 (D2PAK)
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
IRF840
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
*IRF840SPBF
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IRF540STRRPBF
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
IRF840ASTRR
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
IRF9Z34
MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
