IRF730PBF

Tootja Toote Number:

IRF730PBF

Product Overview

Tootja:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Osanumber:

IRF730PBF-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 400 V 5.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventuur:

23512 tk Uus Originaal Laos

13053980

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

IRF730PBF Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Vishay

Pakendamine

Tube

Seeria

-

Pakend

Tube

Osa olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

400 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

5.5A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

1Ohm @ 3.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

38 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

700 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

74W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-220AB

Pakett / ümbris

TO-220-3

Põhitoote number

IRF730

Tehnilised andmed ja dokumendid

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Andmelehed

IRF730,SiHF730 IRF520PBF

Lisainfo

Muud nimed

*IRF730PBF

Standardpakett

50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

vishay

IRFD9113

MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP

vishay

IRFIBF30GPBF

MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3

vishay

IRF530

MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB

vishay

IRF740ASTRRPBF

MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK