IRF520STRR

Tootja Toote Number:

IRF520STRR

Product Overview

Tootja:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Osanumber:

IRF520STRR-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventuur:

Küsi hinda veebis

13051931

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

IRF520STRR Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Vishay

Pakendamine

-

Seeria

-

Pakend

Tape & Reel (TR)

Osa olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

100 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

9.2A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

270mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

16 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

360 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

3.7W (Ta), 60W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

TO-263 (D2PAK)

Pakett / ümbris

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Põhitoote number

IRF520

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

IRF520S, SiHF520S Datasheet

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett

800

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

RoHS non-compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

vishay

IRFU120

MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA

vishay

IRF9530S

MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK

vishay

IRFI840GLC

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3

vishay

BS250KL-TR1-E3

MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-18RM