IRC634PBF

Tootja Toote Number:

IRC634PBF

Product Overview

Tootja:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Osanumber:

IRC634PBF-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-5

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 250 V 8.1A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220-5

Inventuur:

Küsi hinda veebis

13053747

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

IRC634PBF Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Vishay

Pakendamine

-

Seeria

HEXFET®

Pakend

Tube

Osa olek

Obsolete

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

250 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

8.1A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

450mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

41 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

770 pF @ 25 V

Funktsioon FET

Current Sensing

Võimsuse hajutamine (max)

74W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-220-5

Pakett / ümbris

TO-220-5

Põhitoote number

IRC634

Tehnilised andmed ja dokumendid

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

*IRC634PBF

Standardpakett

50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

vishay

IRLD024PBF

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP

vishay

IRFP9140

MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3

vishay

IRF9Z10

MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB

vishay

IRFB17N60KPBF

MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB