SUP90N06-6M0P-E3
Tootja Toote Number:

SUP90N06-6M0P-E3

Product Overview

Tootja:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Osanumber:

SUP90N06-6M0P-E3-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 3.75W (Ta), 272W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventuur:

581 tk Uus Originaal Laos
12786896
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

SUP90N06-6M0P-E3 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Vishay
Pakendamine
Tube
Seeria
TrenchFET®
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
60 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
4700 pF @ 30 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
3.75W (Ta), 272W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220AB
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
SUP90

Tehnilised andmed ja dokumendid

Lisainfo

Muud nimed
SUP90N06-6M0P-E3CT-DG
SUP90N06-6M0P-E3DKRINACTIVE
SUP90N06-6M0P-E3TR-DG
SUP90N06-6M0P-E3TR
SUP90N06-6M0P-E3TRINACTIVE
SUP90N06-6M0P-E3CT
SUP90N06-6M0P-E3DKR
SUP90N06-6M0P-E3DKR-DG
Standardpakett
50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
vishay-siliconix

SUB75P03-07-E3

MOSFET P-CH 30V 75A TO263

vishay-siliconix

SUD50P06-15-GE3

MOSFET P-CH 60V 50A TO252

vishay-siliconix

SIHA15N50E-E3

MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220

vishay-siliconix

SUM40010EL-GE3

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK