Tootja Toote Number:
SQM100N10-10_GE3
Product Overview
Tootja:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Osanumber:
SQM100N10-10_GE3-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventuur:
217 tk Uus Originaal Laos
12787524
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
SQM100N10-10_GE3 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Vishay
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
TrenchFET®
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
10.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
8050 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
375W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klassi
Automotive
Kvalifikatsiooni
AEC-Q101
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-263 (D2PAK)
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
SQM100
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
SQM100N10-10_GE3-DG
SQM100N10-10_GE3CT
SQM100N10-10-GE3
SQM100N10-10-GE3-DG
SQM100N10-10_GE3TR
SQM100N10-10_GE3DKR
Standardpakett
800
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IXFA130N10T2
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
IXFA130N10T2-DG
ÜHIKPRICE
2.41
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
SIHA21N60EF-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
SIHP21N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB
SIR112DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
