Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
SI6433BDQ-T1-GE3
Product Overview
Tootja:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Osanumber:
SI6433BDQ-T1-GE3-DG
Kirjeldus:
MOSFET P-CH 12V 4A 8TSSOP
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 12 V 4A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12919029
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
SI6433BDQ-T1-GE3 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Vishay
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
12 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
4A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
2.5V, 4.5V
Rds sees (max) @ id, vgs
40mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±8V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
1.05W (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-TSSOP
Pakett / ümbris
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Põhitoote number
SI6433
Lisainfo
Muud nimed
SI6433BDQ-T1-GE3TR
SI6433BDQ-T1-GE3DKR
SI6433BDQT1GE3
SI6433BDQ-T1-GE3CT
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
SI6423DQ-T1-GE3
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
8352
DiGi OSANUMBER
SI6423DQ-T1-GE3-DG
ÜHIKPRICE
0.65
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
SIHW70N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
SI4396DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
SIHF15N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
SIE832DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 50A 10POLARPAK