Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
SI3585CDV-T1-GE3
Product Overview
Tootja:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Osanumber:
SI3585CDV-T1-GE3-DG
Kirjeldus:
MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Üksikasjalik kirjeldus:
Mosfet Array 20V 3.9A, 2.1A 1.4W, 1.3W Surface Mount 6-TSOP
Inventuur:
13694 tk Uus Originaal Laos
12918263
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
SI3585CDV-T1-GE3 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid
Tootja
Vishay
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
TrenchFET®
Toote olek
Active
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguratsiooni
N and P-Channel
Funktsioon FET
Logic Level Gate
Äravool allika pingesse (Vdss)
20V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
3.9A, 2.1A
Rds sees (max) @ id, vgs
58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
4.8nC @ 10V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
150pF @ 10V
Võimsus - Max
1.4W, 1.3W
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tarnija seadme pakett
6-TSOP
Põhitoote number
SI3585
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
SI3585CDV-T1-GE3
Tehnilised lehed
SI3585CDV-T1-GE3
HTML andmeleht
SI3585CDV-T1-GE3-DG
Lisainfo
Muud nimed
SI3585CDV-T1-GE3-DG
SI3585CDV-T1-GE3TR
SI3585CDV-T1-GE3CT
SI3585CDV-T1-GE3DKR
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
SQJ560EP-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
SIA914DJ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
SI4330DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8SOIC
SI3588DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP