IRF9630PBF

Tootja Toote Number:

IRF9630PBF

Product Overview

Tootja:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Osanumber:

IRF9630PBF-DG

Kirjeldus:

MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB

Üksikasjalik kirjeldus:

P-Channel 200 V 6.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventuur:

3950 tk Uus Originaal Laos

12912967

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

IXvX

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

IRF9630PBF Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Vishay

Pakendamine

Tube

Seeria

-

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

P-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

200 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

6.5A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

800mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

29 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

700 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

74W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-220AB

Pakett / ümbris

TO-220-3

Põhitoote number

IRF9630

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Packaging Information

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

*IRF9630PBF

Standardpakett

50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

littelfuse

IXFA4N100Q

MOSFET N-CH 1000V 4A TO263

vishay-siliconix

IRLZ14

MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB

vishay-siliconix

SI1012R-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A

vishay-siliconix

IRFPF30PBF

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3