TPH3206LDGB
Tootja Toote Number:

TPH3206LDGB

Product Overview

Tootja:

Transphorm

DiGi Electronics Osanumber:

TPH3206LDGB-DG

Kirjeldus:

GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)

Inventuur:

Küsi hinda veebis
13446770
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
om1k
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

TPH3206LDGB Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Transphorm
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
GaNFET (Gallium Nitride)
Äravool allika pingesse (Vdss)
650 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 500µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±18V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
760 pF @ 480 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
81W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
3-PQFN (8x8)
Pakett / ümbris
3-PowerDFN

Lisainfo

Muud nimed
TPH3206LDG
TPH3206LDG-ND
Standardpakett
60

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
RoHS Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatiivsed mudelid

Osa number
TP65H150G4LSG
TOOTJA
Transphorm
KOGUS SAADAVAL
2939
DiGi OSANUMBER
TP65H150G4LSG-DG
ÜHIKPRICE
2.18
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IXFA22N65X2
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
250
DiGi OSANUMBER
IXFA22N65X2-DG
ÜHIKPRICE
2.56
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
transphorm

TPH3212PS

GANFET N-CH 650V 27A TO220AB

transphorm

TPH3208LD

GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN

transphorm

TPH3206PD

GANFET N-CH 600V 17A TO220AB

transphorm

TP65H035WS

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3