TP90H180PS
Tootja Toote Number:

TP90H180PS

Product Overview

Tootja:

Transphorm

DiGi Electronics Osanumber:

TP90H180PS-DG

Kirjeldus:

GANFET N-CH 900V 15A TO220AB
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 900 V 15A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventuur:

Küsi hinda veebis
13445124
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

TP90H180PS Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Transphorm
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Äravool allika pingesse (Vdss)
900 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
15A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
205mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 500µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
10 nC @ 8 V
VGS (max)
±18V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
780 pF @ 600 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
78W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220AB
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
TP90H180

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
TP90H180PS Preliminary

Lisainfo

Standardpakett
50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
RoHS Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
transphorm

TPH3202LS

GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN

transphorm

TPH3207WS

GANFET N-CH 650V 50A TO247-3

transphorm

TPH3202PS

GANFET N-CH 600V 9A TO220AB

transphorm

TPH3205WSB

GANFET N-CH 650V 36A TO247-3