Tootja Toote Number:
TTC0002(Q)
Product Overview
Tootja:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Osanumber:
TTC0002(Q)-DG
Kirjeldus:
TRANS NPN 160V 18A TO3P
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 18 A 30MHz 180 W Through Hole TO-3P(L)
Inventuur:
63 tk Uus Originaal Laos
12890310
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
TTC0002(Q) Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakendamine
Bulk
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
NPN
Praegune - kollektor (Ic) (max)
18 A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
160 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
2V @ 900mA, 9A
Praegune - kollektori väljalõige (max)
1µA (ICBO)
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 1A, 5V
Võimsus - Max
180 W
Sagedus - üleminek
30MHz
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Pakett / ümbris
TO-3PL
Tarnija seadme pakett
TO-3P(L)
Põhitoote number
TTC0002
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
TTC0002Q
Standardpakett
100
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
RoHS Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
MMBT3906FA-7B
TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN
BC847C-7-F
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
2SC3325-O(TE85L,F)
TRANS NPN 50V 0.5A SMINI
