TTC0002(Q)
Tootja Toote Number:

TTC0002(Q)

Product Overview

Tootja:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Osanumber:

TTC0002(Q)-DG

Kirjeldus:

TRANS NPN 160V 18A TO3P
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 18 A 30MHz 180 W Through Hole TO-3P(L)

Inventuur:

63 tk Uus Originaal Laos
12890310
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

TTC0002(Q) Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakendamine
Bulk
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
NPN
Praegune - kollektor (Ic) (max)
18 A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
160 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
2V @ 900mA, 9A
Praegune - kollektori väljalõige (max)
1µA (ICBO)
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 1A, 5V
Võimsus - Max
180 W
Sagedus - üleminek
30MHz
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Pakett / ümbris
TO-3PL
Tarnija seadme pakett
TO-3P(L)
Põhitoote number
TTC0002

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Lisainfo

Muud nimed
TTC0002Q
Standardpakett
100

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
RoHS Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
diodes

MMBT3906FA-7B

TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN

diodes

BC847C-7-F

TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3

toshiba-semiconductor-and-storage

2SC3325-O(TE85L,F)

TRANS NPN 50V 0.5A SMINI

micro-commercial-components

S9012-I-BP

TRANS PNP 25V 0.5A TO92