Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
TTC0002(Q)
Product Overview
Tootja:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Osanumber:
TTC0002(Q)-DG
Kirjeldus:
TRANS NPN 160V 18A TO3P
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 18 A 30MHz 180 W Through Hole TO-3P(L)
Inventuur:
63 tk Uus Originaal Laos
12890310
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
TTC0002(Q) Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Üksik bipolar transistorid
Tootja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakendamine
Bulk
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
NPN
Praegune - kollektor (Ic) (max)
18 A
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
160 V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
2V @ 900mA, 9A
Praegune - kollektori väljalõige (max)
1µA (ICBO)
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 1A, 5V
Võimsus - Max
180 W
Sagedus - üleminek
30MHz
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Pakett / ümbris
TO-3PL
Tarnija seadme pakett
TO-3P(L)
Põhitoote number
TTC0002
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
TTC0002
Lisainfo
Muud nimed
TTC0002Q
Standardpakett
100
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
RoHS Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
MMBT3906FA-7B
TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN
BC847C-7-F
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
2SC3325-O(TE85L,F)
TRANS NPN 50V 0.5A SMINI
S9012-I-BP
TRANS PNP 25V 0.5A TO92