Tootja Toote Number:
TK290A65Y,S4X
Product Overview
Tootja:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Osanumber:
TK290A65Y,S4X-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 650 V 11.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventuur:
12889324
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
AH7C
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
TK290A65Y,S4X Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakendamine
Tube
Seeria
DTMOSV
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
650 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
11.5A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
290mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 450µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
730 pF @ 300 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
35W (Tc)
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220SIS
Pakett / ümbris
TO-220-3 Full Pack
Põhitoote number
TK290A65
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
TK290A65YS4X(S
TK290A65YS4X
TK290A65Y,S4X(S
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IPA80R280P7XKSA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
486
DiGi OSANUMBER
IPA80R280P7XKSA1-DG
ÜHIKPRICE
1.32
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IPA60R230P6XKSA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
77
DiGi OSANUMBER
IPA60R230P6XKSA1-DG
ÜHIKPRICE
1.13
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
TK100E10N1,S1X
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
SSM6P16FE(TE85L,F)
MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
