Tootja Toote Number:
SSM3J325F,LF
Product Overview
Tootja:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Osanumber:
SSM3J325F,LF-DG
Kirjeldus:
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Üksikasjalik kirjeldus:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount S-Mini
Inventuur:
17726 tk Uus Originaal Laos
12891149
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
ktop
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
SSM3J325F,LF Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
U-MOSVI
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
P-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
20 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
2A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
1.5V, 4.5V
Rds sees (max) @ id, vgs
150mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
4.6 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±8V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
270 pF @ 10 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
600mW (Ta)
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
S-Mini
Pakett / ümbris
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Põhitoote number
SSM3J325
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
SSM3J325FLFTR
SSM3J325FLFCT
SSM3J325F,LF(T
SSM3J325F,LF(B
SSM3J325FLF
SSM3J325FLFDKR
SSM3J325F,LF(A
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
TPC8132,LQ(S
MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP
TK58E06N1,S1X
MOSFET N-CH 60V 58A TO220
TPH4R50ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV