Tootja Toote Number:
RN2901,LXHF(CT
Product Overview
Tootja:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Osanumber:
RN2901,LXHF(CT-DG
Kirjeldus:
AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
Üksikasjalik kirjeldus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Inventuur:
5980 tk Uus Originaal Laos
12966116
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
2W3w
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
RN2901,LXHF(CT Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Bipolaarsed transistoride süsteemid, eelnevalt biasitud
Tootja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Praegune - kollektor (Ic) (max)
100mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50V
Takisti - alus (R1)
4.7kOhms
Takisti - emitteri alus (R2)
4.7kOhms
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 10mA, 5V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Praegune - kollektori väljalõige (max)
500nA
Sagedus - üleminek
200MHz
Võimsus - Max
200mW
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tarnija seadme pakett
US6
Põhitoote number
RN2901
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
264-RN2901,LXHF(CTTR
264-RN2901,LXHF(CT
264-RN2901,LXHF(CTDKR
264-RN2901LXHF(CT
264-RN2901LXHF(CTDKR
264-RN2901,LXHF(CTTR-DG
264-RN2901,LXHF(CT-DG
264-RN2901LXHF(CTTR
264-RN2901,LXHF(CTDKR-DG
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
RN4989,LXHF(CT
AUTO AEC-Q TR NPN + PNP BRT, Q1B
RN2907,LXHF(CT
AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=1
RN1911,LXHF(CT
AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1