Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Kongo DV
Argentina
Türgi
Rumeenia
Leedu
Norra
Austria
Angola
Slovakkia
LTALY
Soome
Valgevene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Montenegro
Vene
Belgia
Rootsi
Serbia
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Moldova
Saksamaa
Holland
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Prantsusmaa
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Portugal
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Hispaania
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
RN1964TE85LF
Product Overview
Tootja:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Osanumber:
RN1964TE85LF-DG
Kirjeldus:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Üksikasjalik kirjeldus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Inventuur:
2840 tk Uus Originaal Laos
12890952
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
c
1
1
v
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
RN1964TE85LF Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Bipolaarsed transistoride süsteemid, eelnevalt biasitud
Tootja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Praegune - kollektor (Ic) (max)
100mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50V
Takisti - alus (R1)
47kOhms
Takisti - emitteri alus (R2)
47kOhms
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Praegune - kollektori väljalõige (max)
100nA (ICBO)
Sagedus - üleminek
250MHz
Võimsus - Max
200mW
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tarnija seadme pakett
US6
Põhitoote number
RN1964
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
RN1961-66
Lisainfo
Muud nimed
RN1964(TE85L,F)
RN1964TE85LFDKR
RN1964TE85LFTR
RN1964TE85LFCT
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
RoHS Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
RN1904,LF(CT
TOOTJA
Toshiba Semiconductor and Storage
KOGUS SAADAVAL
3000
DiGi OSANUMBER
RN1904,LF(CT-DG
ÜHIKPRICE
0.03
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
DDC144NS-7
TOOTJA
Diodes Incorporated
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
DDC144NS-7-DG
ÜHIKPRICE
0.07
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
PUMH2,115
TOOTJA
NXP Semiconductors
KOGUS SAADAVAL
393840
DiGi OSANUMBER
PUMH2,115-DG
ÜHIKPRICE
0.02
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
RN4991(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN2905,LF(CT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN2704,LF
PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
RN2511(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV