Tootja Toote Number:
RN1701,LF
Product Overview
Tootja:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Osanumber:
RN1701,LF-DG
Kirjeldus:
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
Üksikasjalik kirjeldus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV
Inventuur:
6359 tk Uus Originaal Laos
12889195
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
RN1701,LF Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Bipolaarsed transistoride süsteemid, eelnevalt biasitud
Tootja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Praegune - kollektor (Ic) (max)
100mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50V
Takisti - alus (R1)
4.7kOhms
Takisti - emitteri alus (R2)
4.7kOhms
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 10mA, 5V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Praegune - kollektori väljalõige (max)
500nA
Sagedus - üleminek
250MHz
Võimsus - Max
200mW
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Tarnija seadme pakett
USV
Põhitoote number
RN1701
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
RN1701LFCT
RN1701LFTR
RN1701LFDKR
RN1701,LF(T
RN1701,LF(B
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
RN2961(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4989FE,LF(CT
NPN + PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BER2
RN2911(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6