Tootja Toote Number:
RN1604(TE85L,F)
Product Overview
Tootja:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Osanumber:
RN1604(TE85L,F)-DG
Kirjeldus:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Üksikasjalik kirjeldus:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventuur:
12891457
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
u8mV
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
RN1604(TE85L,F) Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Bipolaarsed transistoride süsteemid, eelnevalt biasitud
Tootja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Praegune - kollektor (Ic) (max)
100mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50V
Takisti - alus (R1)
47kOhms
Takisti - emitteri alus (R2)
47kOhms
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Praegune - kollektori väljalõige (max)
100nA (ICBO)
Sagedus - üleminek
250MHz
Võimsus - Max
300mW
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
SC-74, SOT-457
Tarnija seadme pakett
SM6
Põhitoote number
RN1604
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
RN1604(TE85LF)CT
RN1604(TE85LF)TR
RN1604(TE85LF)DKR
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
RoHS Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IMH11AT110
TOOTJA
Rohm Semiconductor
KOGUS SAADAVAL
9969
DiGi OSANUMBER
IMH11AT110-DG
ÜHIKPRICE
0.06
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
RN4603(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
RN1906,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN4601(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
