Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Kongo DV
Argentina
Türgi
Rumeenia
Leedu
Norra
Austria
Angola
Slovakkia
LTALY
Soome
Valgevene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Montenegro
Vene
Belgia
Rootsi
Serbia
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Moldova
Saksamaa
Holland
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Prantsusmaa
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Portugal
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Hispaania
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
HN1B04FU-Y(T5L,F,T
Product Overview
Tootja:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Osanumber:
HN1B04FU-Y(T5L,F,T-DG
Kirjeldus:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Üksikasjalik kirjeldus:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12889626
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
HN1B04FU-Y(T5L,F,T Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
Bipolaarne (BJT), Bipolaarsed transistorite süsteemid
Tootja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Active
Transistori tüüp
NPN, PNP
Praegune - kollektor (Ic) (max)
150mA
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max)
50V
Vce küllastus (max) @ ib, ic
250mV @ 10mA, 100mA
Praegune - kollektori väljalõige (max)
100nA (ICBO)
Alalisvoolu voolutugevus (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 2mA, 6V
Võimsus - Max
200mW
Sagedus - üleminek
150MHz
Töötemperatuur
125°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tarnija seadme pakett
US6
Põhitoote number
HN1B04
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
HN1B04FU
Lisainfo
Muud nimed
HN1B04FU-Y(T5LFTCT
HN1B04FU-Y(T5LFTDKR
HN1B04FU-Y(T5LFTTR
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
RoHS Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternatiivsed mudelid
Osa number
UMZ1NT1G
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
11000
DiGi OSANUMBER
UMZ1NT1G-DG
ÜHIKPRICE
0.03
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
UMZ1NTR
TOOTJA
Rohm Semiconductor
KOGUS SAADAVAL
109445
DiGi OSANUMBER
UMZ1NTR-DG
ÜHIKPRICE
0.05
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
HN1C01FU-Y(T5L,F,T
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
HN1C03FU-A(TE85L,F
TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
BC846ASQ-7-F
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
2SA1618-Y(TE85L,F)
TRANS 2PNP 50V 0.15A SMV