Tootja Toote Number:
2SK2916(F)
Product Overview
Tootja:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Osanumber:
2SK2916(F)-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 500V 14A TO3PIS
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 500 V 14A (Ta) 80W (Tc) Through Hole TO-3P(N)IS
Inventuur:
12889998
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
8n9b
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
2SK2916(F) Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
500 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
14A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
400mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2600 pF @ 10 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
80W (Tc)
Töötemperatuur
150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-3P(N)IS
Pakett / ümbris
TO-3P-3, SC-65-3
Põhitoote number
2SK2916
Lisainfo
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IXTQ16N50P
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
13
DiGi OSANUMBER
IXTQ16N50P-DG
ÜHIKPRICE
2.38
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
SSM6J502NU,LF
MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
2SK3388(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 250V 20A 4TFP
2SK3403(Q)
MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL
